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5SHY4045L0001 3BHB018162R0001 es un producto de tiristor conmutado por puerta integrada (IGCT) de ABB, perteneciente a la serie 5SHY.

IGCT es un nuevo tipo de dispositivo electrónico que apareció a finales de la década de 1990.

Combina las ventajas de IGBT (transistor bipolar de puerta aislada) y GTO (tiristor de apagado de puerta), y tiene las características de velocidad de conmutación rápida, gran capacidad y gran potencia de conducción requerida.

Específicamente, la capacidad de 5SHY4045L0001 3BHB018162R0001 es equivalente a la de GTO, pero su velocidad de conmutación es 10 veces más rápida que la de GTO, lo que significa que puede completar la acción de conmutación en un tiempo más corto y así mejorar la eficiencia de conversión de energía.

Además, en comparación con GTO, IGCT puede ahorrar el enorme y complicado circuito amortiguador, lo que ayuda a simplificar el diseño del sistema y reducir los costos.

Sin embargo, cabe señalar que, si bien el IGCT tiene muchas ventajas, la potencia necesaria para su funcionamiento sigue siendo grande.

Esto puede aumentar el consumo energético y la complejidad del sistema. Además, aunque el IGCT intenta sustituir al GTO en aplicaciones de alta potencia, aún se enfrenta a una fuerte competencia de otros dispositivos nuevos (como los IGBT).

5SHY4045L00013BHB018162R0001 Transistores conmutados de puerta integrada | GCT (transistores conmutados de puerta integrada) es un nuevo dispositivo semiconductor de potencia utilizado en equipos electrónicos de potencia gigantes que salió al mercado en 1996.

IGCT es un nuevo dispositivo de conmutación semiconductor de alta potencia basado en la estructura GTO, que utiliza una estructura de compuerta integrada para el disco duro de la compuerta, utiliza una estructura de capa intermedia de búfer y tecnología de emisor transparente de ánodo, con las características de estado encendido del tiristor y las características de conmutación del transistor.

5SHY4045L000) 3BHBO18162R0001 utiliza una estructura de amortiguación y tecnología de emisor poco profundo, lo que reduce la pérdida dinámica en aproximadamente un 50%.

Además, este tipo de equipo también integra un diodo de rueda libre con buenas características dinámicas en un chip, y luego realiza la combinación orgánica de la baja caída de voltaje en estado encendido, el alto voltaje de bloqueo y las características de conmutación estables del tiristor de una manera única.